报告题目:二维半导体薄膜的可控生长与物性调控研究

报告人:李梦阁

报告时间:2025年12月29日 下午14:00

报告地点:数理楼306会议室

报告对象:感兴趣的师生

主办单位:51视频

报告人简介:李梦阁，女，中共党员，硕士生导师，2023年6月博士毕业于浙江大学，半导体薄膜制备及器件实验室创建人和负责人，主要研究纳米半导体材料的异构集成、纳米半导体器件制备、物性调控、集成设计及其在电子学、光电探测器、生物传感、非线性光学以及能谷电子学等领域的应用。近五年来发表SCI论文十余篇，如Nano Letters,ACSAppl. Mater. Interfaces, J. Mater. Chem. C, Appl. Phys. Lett., Nanotechnology, ACS Appl. Electron.Mater等，单篇最高被引179 次。现主持安工大人才项目1项，校青年基金1项。目前指导研究生2名。

报告内容简介:随着硅基器件逐渐逼近物理极限，短沟道效应、高功耗和低迁移率严重制约了器件的小型化和高性能的发展，摩尔定律几乎不再适用，行业亟需突破材料体系以延续摩尔定律。二维层状材料因其原子级厚度和高迁移率等，成为突破传统材料瓶颈的重要方向。二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）材料具有随层数变化的可调带隙、超高的比表面积、较大的非线性极化率、高开关比等特性，在诸多领域具有广阔的发展空间。尽管二维TMDCs材料的研究已经取得了重大进展，但是在其大面积制备以及载流子调控等方面仍然面临着亟待解决的问题和挑战。本报告从大面积单层TMDCs的生长，以及二维TMDCs的极性调控进行介绍。